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MTD6N20ET4G

更新时间:2025-05-29 03:47:11
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MTD6N20ET4G外观图

MTD6N20ET4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
MTD6N20ET4G 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    700 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    480pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1.75W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    DPAK-3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MTD6N20ET4GOSMTD6N20ET4GOS-NDMTD6N20ET4GOSTR
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