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增强型的金氧半场效电晶体也有四脚，理论上D与S是可以互换的。但是在实际製作过程会产生寄生二极管，造成使用上有单方向漏电(或说是保护MOS管)。
当交换D和S的时候，在设定MOS管偏为压导通的状况下，Rds(ON)压降会远小于寄生二极管VF。在MOS管偏压为截止的状况下，会有漏电的存在(VF压差) 。 |
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@LEON1985 非常感谢！说得很详细。
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Q1怎么分析呢
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