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NTD23N03RT4

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NTD23N03RT4

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD23N03RT4 概述

NTD23N03RT4是ON Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为0.037Ω，这有助于减少导通损耗。其最大漏极电流可达23A，适用于高功率密度设计。该MOSFET的工作电压范围为-30V至+30V，可在各种电源管理应用中使用，例如负载开关、电源转换器和电机驱动等场景。在DC - DC转换器中，它能够高效地处理电能转换，提高系统整体效率。由于其良好的热性能和电气特性，也适合用于紧凑型电路设计中，需要注意的是，在实际应用时要确保正确的栅极驱动电压以实现最佳性能。

NTD23N03RT4 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
225pF @ 20V
功率 - 最大
1.14W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD23N03RT4OSTR

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