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MJD45H11T4G

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MJD45H11T4G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS PWR PNP 8A 80V DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MJD45H11T4G 概述

MJD45H11T4G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率晶体管，采用达林顿结构。它具有高电流增益和高电压处理能力的特点，最大集电极-发射极电压可达100V，在25℃环境温度下连续集电极电流可达3A。该晶体管常用于电源管理、电机驱动、继电器驱动以及工业控制等需要大电流放大和开关操作的场景。在电路设计中使用时，需要注意其散热问题，确保有良好的散热措施以维持正常工作温度。由于是达林顿结构，其饱和压降相对较高，因此在选择限流电阻或计算功耗时应充分考虑这一点。例如在电机驱动应用中，可以与合适的续流二极管配合使用以保护晶体管免受感性负载产生的反向电动势冲击。

MJD45H11T4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
8A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大）
1µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
1.75W
频率 - 转换
90MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
MJD45H11T4GOSMJD45H11T4GOS-NDMJD45H11T4GOSTR

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