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LF356N

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LF356N 规格参数
  • 制造商
    National Semiconductor (TI)
  • 通道数量
    1
  • 共模抑制比（最小值）
    80 dB
  • 输入补偿电压
    10 mV at +/- 15 V
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    MDIP
  • 转换速度
    12 V/us at +/- 15 V
  • 关闭
    No
  • 最大工作温度
    + 70 C
  • 封装
    Tube
  • 最小工作温度
    0 C
  • 工厂包装数量
    40
  • 电源电流
    10 mA at +/- 15 V
  • 技术
    BiFET
  • 电压增益 dB
    106.02 dB
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