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IRFB4310ZPBF

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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代理渠道来货只做原装正品

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专营INFINEON/英飞凌全新原装进口

深圳市鑫达通电子有限公司
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易创佳业科技（深圳）有限公司
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TQFP48(7x7)/21+
原装现货秉承原装

深圳市四方美达科技有限公司
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深圳市芯奕科技有限公司
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深圳市德富胜电子有限公司
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特裕电子(深圳)有限公司
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深圳市双利电子有限公司
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市华美智芯科技有限公司
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深圳市科讯世纪电子科技有限公
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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB

封装:TO-220-3

IRFB4310ZPBF 概述

IRFB4310ZPBF是由Infineon Technologies生产的N沟道MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其最大漏源电压为100V，适合在高压应用中使用。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、电机驱动、开关模式电源（SMPS）等需要高效功率转换的场合。在实际应用中，建议确保栅极驱动电路能够提供足够的电压以充分开启MOSFET，通常要求至少10V的栅源电压。此外，为了提高系统效率并减少发热，推荐在PCB设计时优化散热路径，例如增加铜箔面积或使用散热器。在高频率应用中，需特别注意寄生电容对开关性能的影响，适当调整栅极电阻值可改善开关特性。

IRFB4310ZPBF 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6860pF @ 50V
功率 - 最大
250W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件

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