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IPD090N03LG

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IPD090N03LG 规格参数
  • 数据列表
    IP(D,F,S,U)090N03L G
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单路
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    9 毫欧 @ 30A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    40A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    1600pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    42W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
  • 供应商设备封装
    PG-TO252-3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IPD090N03LGINTR IPD090N03LGXT SP000236950
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