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FQB12P20TM

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FQB12P20TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

FQB12P20TM 概述

FQB12P20TM是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效能的电源管理应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为200V，适用于高电压应用场合，如电机驱动、不间断电源（UPS）、直流-直流转换器等。在电机驱动中，它能够有效减少能量损耗并提高系统效率。使用时需注意栅极驱动电路的设计，确保提供足够的驱动电压以实现最佳性能。此外，在PCB布局时应尽量减小寄生电感对开关性能的影响。

FQB12P20TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
470 毫欧 @ 5.75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263-2
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQB12P20TM-NDFQB12P20TMTR

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