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FDMC5614P

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FDMC5614P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33

封装:8-PowerVDFN

FDMC5614P 概述

FDMC5614P是On Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET。它采用PowerPAK SO-8封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下最大导通电阻仅为20mΩ。该器件适用于需要高效功率转换的应用场景。典型应用包括负载开关、电源管理以及电池充电电路等便携式电子设备中。在负载开关应用中，其快速的开关速度和低导通损耗有助于提高系统效率。当用于电源管理时，能有效降低功耗，延长电池使用时间。设计电路时应注意合理选择栅极驱动电压以确保完全开启MOSFET，同时要考虑散热设计保证器件稳定工作。

FDMC5614P 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 5.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1055pF @ 30V
功率 - 最大
2.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商设备封装
8-Power33（3x3）
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDMC5614PTR

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