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FDFMA3N109

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FDFMA3N109外观图

FDFMA3N109

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

  • 封装:6-WDFN 裸露焊盘
FDFMA3N109 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    123 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    220pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    650mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-MicroFET（2x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDFMA3N109FSTRFDFMA3N109TRFDFMA3N109TR-ND
FDFMA3N109 Datasheet数据手册 PDF下载
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