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FDC658AP

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FDC658AP外观图

FDC658AP

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6

  • 封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
FDC658AP 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    50 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    470pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装
    6-SOT
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDC658APTR
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