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IXTN200N10L2

更新时间:2025-05-17 23:47:32
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • IXTN200N10L2

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IXTN200N10L2外观图

IXTN200N10L2

IXYS FET

TRANS MOSFET 100V 178A SOT-227

  • 封装:SOT-227-4，miniBLOC
IXTN200N10L2 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    Linear L2™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    178A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    11 毫欧 @ 100A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    540nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    23000pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    830W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
    SOT-227
  • 包装
    -
  • 其它名称
    Q5211084
芯知识
2.5万
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广东微尔科技有限公司
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