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IRFL024NTRPBF

更新时间:2025-05-19 19:01:16

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市凯鑫跃电子有限公司
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深圳市广运诚科技有限公司
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诚信合作一站配件

深圳市驰源科技有限公司
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SOT223/22+
优势现货库存，支持实单

深圳萤美电子科技有限公司
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IRFL024NPBF/22+
原装现货实单可谈

深圳市中元伟业电子商行
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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原装正品热卖，价格优势

深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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深圳市亚泰电子有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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终端可免费供样，支持BOM配单

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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市锂斯特电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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75000
一级代理
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一级代理保证

深圳市腾桩电子有限公司
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Infineon
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深圳市旺财半导体有限公司
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深圳市集达胜电子科技有限公司
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蓝界科技（深圳）有限公司
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深圳市鹏昇微电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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JSMSEMI/杰盛微
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深圳市能元时代电子有限公司
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IRFL024NTRPBF外观图

IRFL024NTRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

封装:TO-261-4，TO-261AA

IRFL024NTRPBF 概述

IRFL024NTRPBF是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高效率特点，适用于高频开关电源应用。其栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗并提高整体系统效率。典型应用场景包括同步整流、DC-DC转换器以及逆变器设计等需要高效功率管理的场合。在电路设计中，建议选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度和EMI性能。同时注意散热设计，确保结温不超过最大额定值175°C。由于其具备快速开关特性，在PCB布局时应尽量减小寄生电感，避免电压尖峰影响可靠性。

IRFL024NTRPBF 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 2.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
400pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRFL024NTRPBF-NDIRFL024NTRPBFTR

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