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IRF5802

更新时间:2025-05-18 21:05:49
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IRF5802 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    HEXFET?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    停产
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    900mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.2 欧姆 @ 540mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    6.8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    88 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    2W（Ta）
  • 工作温度
    -
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    Micro6?（TSOP-6）
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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