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| 型号: | HGTG20N60B3D |
| 是否Rohs认证: | 不符合 |
| 生命周期: | Transferred |
| IHS 制造商: | INTERSIL CORP |
| 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code: | not_compliant |
| 风险等级: | 5.1 |
| Is Samacsys: | N |
| 其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接: | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC): | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
| 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间(tf): | 200 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值: | 6 V |
| 门极-发射极最大电压: | 20 V |
| JEDEC-95代码: | TO-247 |
| JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码: | e0 |
| 元件数量: | 1 |
| 端子数量: | 3 |
| 最高工作温度: | 150 °C |
| 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状: | RECTANGULAR |
| 封装形式: | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs): | 165 W |
| 认证状态: | Not Qualified |
| 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装: | NO |
| 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式: | THROUGH-HOLE |
| 端子位置: | SINGLE |
| 晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料: | SILICON |
| 标称断开时间 (toff): | 360 ns |
| 标称接通时间 (ton): | 45 ns |
| Base Number Matches: | 1 |
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