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| 型号: | HEF4011BP |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MO-001 |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.14 |
| 系列： | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 长度： | 19.025 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.00036 A |
| 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 110 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 110 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 4.2 mm |
| 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | NICKEL/PALLADIUM/GOLD (NI/PD/AU) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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