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HGTP10N120BN

更新时间:2025-05-15 20:30:03
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HGTP10N120BN外观图

HGTP10N120BN

Fairchild Semiconductor IGBT - 单路

IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB

  • 封装:TO-220-3
HGTP10N120BN 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.7V @ 15V，10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    35A
  • 功率 - 最大
    298W
  • 输入类型
    标准型
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    HGTP10N120BN-NDHGTP10N120BNFS
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