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FGA20N120FTDTU

更新时间:2025-06-19 02:17:15

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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原装现货支持实单

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市科立成电子有限公司
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原装现货/不原砍我

深圳市莱克讯科技有限公司
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FAIRCHILD
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原包装正品渠道现货库存

瀚佳科技（深圳）有限公司
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华芯盛世半导体（深圳）有限公
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常州泰格睿达电子科技有限责任
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全新原装现货，假一赔十

深圳市中纳芯电子有限公司
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FGA20N120FTDTU

Fairchild Semiconductor IGBT - 单路

IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN

封装:TO-3P-3，SC-65-3

FGA20N120FTDTU 概述

FGA20N120FTDTU是安森美半导体生产的一款高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。该器件采用TO-3P封装，具有低导通损耗和开关损耗特性，适用于高频开关应用。其最大集电极-发射极电压为1200V，集电极电流额定值为20A，能够满足高电压和中等电流的应用需求。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热以及电机驱动等领域。在电路设计中，建议搭配合适的栅极驱动电路以确保可靠触发，并使用适当的散热措施来维持器件工作温度在安全范围内。对于电机驱动应用，需注意布局以减少寄生电感对开关性能的影响。

FGA20N120FTDTU 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
-
IGBT 类型
沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
2V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
40A
功率 - 最大
298W
输入类型
标准型
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装
TO-3PN
包装
管件
其它名称
FGA20N120FTDTU-NDFGA20N120FTDTUFS

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