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FDD86102

更新时间:2025-05-18 23:43:06

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市科昂电子集团有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD86102 概述

FDD86102是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为4.5V时典型值仅为7.3mΩ（最大值），这有助于降低功耗。其最大漏源电压(VDS)可达-60V，连续漏极电流(ID)在25°C下为-30A。此款MOSFET适用于多种功率转换应用，如直流 - 直流转换器、电池管理电路以及电机驱动控制等场景。在实际应用中，需注意其工作温度范围为-55°C到+175°C，设计电路时要确保散热良好以保证稳定运行。例如在电机驱动电路里，可将其作为功率开关管使用，并且搭配合适的栅极驱动电路来确保快速开关切换从而提高效率。

FDD86102 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
24 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1035pF @ 50V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD86102TR

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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