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FCD600N60Z

更新时间:2025-05-16 02:33:25

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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BOM配单
诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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深圳市君云达电子科技有限公司
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带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
1293
FAIRCHILD
TO252/2248+
原装现货支持实单

深圳市华芯盛科电子有限公司
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20000
ON/安森美
TO252/25+
全新原装

深圳市锦泰世纪电子有限公司
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2500
FAIRCHILD/仙童
TO252/20+
长期回收原装IC

深圳市智慧华芯电子有限公司
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9500
FSC
-/25+
原装现货深圳公司现货

华芯盛世半导体（深圳）有限公
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4500
ON/安森美
TO252/22+
原装现货支持实单

深圳市芯国创科技有限公司
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2000
FCS
TO252 3L (DPAK)/25+
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市得捷芯城科技有限公司
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6759
FAIRCHILD/仙童
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

深圳市优尚半导体科技有限公司
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8800
ON(安森美)
DPAK/22+
原装现货

深圳市华斯顿科技有限公司
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26500
ON
DPAK3 / TO2523/25+23+
汽车IC原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市弘芯创科技有限公司
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50000
Fairchild
TO252/23+
原装现货，只做自己优势

深圳市博洋芯微电子有限公司
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7000
FAIRCHILD/仙童
SOT252/23+
只做原装现货

深圳市博伟奇电子有限公司
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258200
fsc
-/2021
-

上海祥增电子科技有限公司
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12000
ON/安森美
-/18+
只做原装正品，假一罚十，大量现货，特价销售

深圳市华美锐科技有限公司
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2500
fsc
N/A/dc14
原装正品热卖，价格优势

深圳市正纳电子有限公司
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Fairchild(飞兆/仙童)
-/-
现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

深圳市金灿利电子科技有限公司
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FAIRCHILD/仙童
TO2523L(DPAK)/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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ON/安森美
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现货假一罚万只做原厂原装现货

深圳市程涵电子有限公司
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8000
ON /安森美
22+/NA
-

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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32365
Fairchild仙童
DPAK/19+
原装特价提供样品

深圳市芯巴巴科技有限公司
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5000
onsemi(安森美)
DPAK/-
只做原装，提供一站式BOM配套服务

昂富（深圳）电子科技有限公司
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158499
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TO252/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
-
21+/2024+
原装现货，支持BOM配单

深圳市汇创佳电子科技有限公司
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5200
FSC
DPak/20+
公司现货原装

深圳市新亿利电子有限公司
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5000
ON
DPAK3 / TO2523/24+
原厂直销，提供技术支持

深圳市芯齐壹科技有限公司
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12000
ON/安森美
DPAK/22+
只有原装，原装，假一罚十

艾润（香港）电子有限公司
FCD600N60Z
2986
fsc
SMD/2018+
原装部分现货量大期货

深圳市万芯时代贸易有限公司
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1
回收IC
N/A/25+
回收此型号FCD600N60Z

深圳市科鑫美电子有限公司
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9000
Fairchild/ON
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原厂渠道，现货配单

北京睿宸齐芯科技有限公司
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DPAK/TO252/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代

深圳市广赢电子有限公司
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FAIRCHILD
TO252/-
原装现货

深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市特莱科技有限公司
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一级供应商十三年品牌专营

深圳市腾桩电子有限公司
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
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深圳华盛半导体集团有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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FCD600N60Z 概述

FCD600N60Z是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的功率半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其最大漏极-源极电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达33A，在栅极-源极电压（Vgs）为10V时，导通电阻（Rds(on)）低至0.057欧姆，适用于高效功率转换应用。这款MOSFET广泛应用于工业电源、不间断电源系统（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动等领域。在这些应用场景中，FCD600N60Z能够帮助设计者实现更高的效率和更紧凑的设计。使用时应注意合理选择栅极电阻以优化开关特性，并确保散热设计满足热管理要求，避免因过热导致性能下降或损坏。在电路设计中，通常与合适的驱动IC配合使用，以充分发挥其高速开关的优势。

FCD600N60Z 规格参数

现有数量
19,846现货
系列
SuperFET? II
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1120 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

2.5万

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广东微尔科技有限公司

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