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| 型号: | BL7N65F |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD |
| 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ITO-220AB, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 类别： | Diodes |
| Channel Polarity： | N |
| ESD： | N |
| Max PD(W)： | 2.5 |
| Min PD(W)： | 650 |
| Max VGS (V)： | ±20 |
| Max ID(A)： | 7 |
| Max IGSS(uA)： | ±0.1 |
| Max VGS(th) (V)： | 4 |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ： | / |
| RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max： | 1400 |
| AEC Qualified： | NO |
| 最高工作温度： | 150 |
| 最低工作温度： | -55 |
| MSL等级： | / |
| 生命周期： | Active |
| 是否无铅： | Yes |
| 符合Reach： | Yes |
| 符合RoHS： | Yes |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Package Outlines： | ITO-220AB |
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