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BT139-800E

更新时间:2025-07-03 14:21:40
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BT139-800E 规格参数
  • 制造商
    NXP
  • 产品种类
    双向可控硅
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM
    800 V
  • 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
    0.1 mA
  • 栅触发电压 (Vgt)
    1.5 V
  • 栅触发电流 (Igt)
    25 mA
  • 保持电流（Ih 最大值）
    45 mA
  • 正向电压下降
    1.6 V
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220AB
  • 封装
    Rail
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 重复峰值正向闭塞电压
    800 V
  • 工厂包装数量
    50
  • 零件号别名
    BT139-800E,127
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