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AON7518

更新时间:2025-05-18 10:57:09

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AON7518 概述

7518是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的P沟道MOSFET。它采用先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的导通电阻和栅极电荷，可有效降低导通损耗和开关损耗。该MOSFET的最大漏源电压为-20V，最大连续漏极电流在25°C下为-4.6A。这款MOSFET适用于多种应用场合，如负载开关、电源管理电路中的同步整流以及DC - DC转换器等便携式设备领域。在实际使用时，要注意其工作温度范围是 - 55°C到+150°C，在进行PCB布局设计时，要确保引脚连接正确且散热良好，避免过热损坏。例如在设计一个简单的负载开关电路时，可以将AON7518的源极接电源正极，漏极接负载一端，通过控制栅极电压来实现对负载的开关控制。

AON7518 规格参数

现有数量
0现货
系列
AlphaMOS
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1086 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），23W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳
8-PowerVDFN

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广东微尔科技有限公司

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