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AO5803E

更新时间:2025-07-05 01:28:57

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封装/批号
说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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AO5803E 概述

AO5803E是Alpha & Omega Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用DFN2x2封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为36mΩ，这有助于减少功耗并提高效率。它适用于多种便携式设备中的电源管理应用，如智能手机、平板电脑以及可穿戴设备等。在这些设备中，它可以用于电池充电控制、负载开关以及DC-DC转换电路等场景。在实际应用时，由于其小尺寸封装特点，在PCB布局过程中需注意焊盘设计以确保良好的焊接质量。并且要注意栅极驱动电压的选择，保证能够可靠地开启和关闭MOSFET。例如在简单的负载开关电路中，可通过MCU的GPIO口提供合适的电压信号来控制AO5803E的导通与截止。

AO5803E 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
600mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
800 毫欧 @ 600mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
900mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
100pF @ 10V
功率 - 最大
400mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SC-89-6
包装
带卷 (TR)

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