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| 型号： | ISP20EP10LM |
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| 内容描述： | [SOT-223 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持逻辑电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。] |
| 分类和应用： | 电池开关 |
| 文件页数/大小： | 11 页 / 1777 K |
| 品牌： |  INFINEON [ Infineon ] |
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