时间：2025/12/5 21:48:20
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VLF4012AT-150MR63是一款由Vishay Dale（威世戴尔）生产的表面贴装大电流电感器，属于Vishay的VLF系列。该系列产品专为高电流、低直流电阻和高效率电源应用而设计，广泛应用于现代电子设备中的DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）、以及负载点（POL）电源系统中。VLF4012AT-150MR63采用扁平化结构设计，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在有限的PCB空间内提供出色的电感性能和电流处理能力。其铁氧体磁芯材料和铜合金绕组结构有效降低了磁芯损耗和绕组电阻，从而提升了整体能效，并支持在高频开关条件下稳定工作。该器件符合RoHS标准，并具备良好的抗饱和特性，适用于要求严苛的工业、通信和消费类电子产品中。
型号中的“VLF”代表Vishay的扁平线绕电感系列，“4012”表示其封装尺寸约为4.0mm x 4.0mm x 1.2mm，“150M”表示标称电感值为15.0μH（误差±20%），“R63”则表示其典型直流电阻（DCR）约为63mΩ。该电感采用全屏蔽结构，显著降低了电磁干扰（EMI），有助于满足EMC合规性要求。此外，其端子设计适合回流焊工艺，便于自动化贴片生产，提高了制造效率和可靠性。
产品系列：VLF
封装尺寸：4.0mm x 4.0mm x 1.2mm
电感值：15.0 μH ±20%
额定电流（Irms）：5.8 A（温升40°C）
饱和电流（Isat）：7.0 A（电感下降30%）
直流电阻（DCR）：63 mΩ 最大
自谐振频率（SRF）：典型值约30 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +155°C（含线圈温升）
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
焊接温度：峰值260°C，每周期不超过10秒
屏蔽类型：全磁屏蔽
端接材料：镀锡铜端子
符合标准：RoHS、无卤素
VLF4012AT-150MR63的核心优势之一在于其采用了先进的粉末合金磁芯材料与扁平铜导线绕组技术相结合的设计方案，这种结构不仅大幅降低了集肤效应带来的高频损耗，还有效提升了单位体积内的载流能力。由于使用了高饱和磁通密度的磁性材料，该电感在大电流下表现出优异的抗饱和性能，即使在接近极限电流时仍能维持较高的电感值，确保电源系统的稳定性。这对于需要应对瞬态负载变化的应用尤为重要，例如在CPU或GPU供电电路中，能够快速响应动态负载切换而不导致输出电压跌落或振荡。
其次，该器件具备极低的直流电阻（DCR），最大仅为63mΩ，这意味着在通过数安培电流时产生的I2R功率损耗非常小，有助于提高电源转换效率并减少发热。这对于紧凑型便携式设备或高密度板级设计尤为关键，可以降低散热需求，延长系统寿命。同时，全屏蔽磁路结构极大抑制了外部磁场泄漏，减少了对邻近敏感元件的电磁干扰，使电路布局更加灵活，也更容易通过电磁兼容性测试。
再者，VLF4012AT-150MR63的工作温度范围宽达-55°C至+155°C，表明其可在极端环境条件下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子及高温环境下的嵌入式系统。其结构坚固，抗机械应力能力强，在振动和冲击环境中表现稳定。此外，该电感支持自动贴片安装，兼容标准SMT工艺流程，适合大规模自动化生产，提升制造良率和一致性。综合来看，这款电感在性能、可靠性与可制造性之间实现了良好平衡，是高性能电源设计的理想选择。
该电感广泛用于各类需要高效、高电流密度储能元件的电源管理场合。典型应用场景包括：负载点（Point-of-Load, POL）转换器，特别是在服务器主板、网络交换机和高端计算平台中为处理器、ASIC或FPGA提供稳定的低压大电流供电；在DC-DC降压变换器中作为储能元件，配合同步整流MOSFET实现高效率电压转换；也可用于LED驱动电源、便携式电子设备的电池管理系统以及工业PLC控制器中的辅助电源模块。
此外，由于其良好的高频特性和低EMI辐射，VLF4012AT-150MR63也被广泛应用于通信基础设施设备，如基站电源、光模块供电单元等。在汽车电子领域，尽管该型号并非AEC-Q200认证器件，但类似规格的产品常用于车载信息娱乐系统或ADAS域控制器的非安全关键型电源设计中。总之，任何要求小型化、高效率和高可靠性的电源拓扑结构均可考虑采用此类高性能功率电感，尤其适用于开关频率在数百kHz到2MHz之间的应用环境。
IHLP4012ABER150M11
SRP4012TA-150M
XAL4010-151M
