产品系列：MLF
　　电感值：0.82 μH
　　电感容差：±5%
　　直流电阻（DCR）：典型值170 mΩ
　　额定电流（Irms）：400 mA
　　饱和电流（Isat）：550 mA（通常定义为电感值下降10%时的电流）
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 250 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　最大工作电压：50 V
　　核心材料：铁氧体
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　封装/外壳：1608（0603 公制）

MLF1608DR82JTD25的核心优势在于其卓越的电气性能与微型封装的完美结合。其采用精密的绕线工艺，使用极细的铜线在高性能铁氧体磁芯上紧密缠绕而成。这种结构极大地降低了导体的直流电阻（DCR），典型值仅为170 mΩ，这意味着在传导相同电流时，因I2R效应产生的热量显著减少，从而提升了整个系统的能效，对于电池供电的便携设备尤为重要。低DCR还允许电感器处理更大的持续电流（额定电流Irms为400 mA）而不会过热，保证了长期运行的稳定性。
　　另一个关键特性是其高饱和电流（Isat为550 mA）。饱和电流是指电感值因磁芯饱和而开始急剧下降的临界点。在开关电源等应用中，电感器会流过脉动直流电流，峰值电流可能远高于平均电流。MLF1608DR82JTD25较高的Isat值确保了即使在瞬态大电流下，电感值也能保持相对稳定，避免了因电感塌陷导致的电路性能下降或故障，这对于维持输出电压的稳定至关重要。此外，该器件具有很高的自谐振频率（SRF），通常超过250 MHz。SRF是电感器寄生电容与其电感量发生并联谐振的频率点。在此频率以上，器件表现出容性。因此，一个高的SRF意味着该电感器在其标称电感值下有效工作的频率范围更宽，特别适合用于GHz频段的射频匹配网络、滤波器和谐振电路中，能够精确地进行阻抗匹配，优化信号传输效率，减少噪声和干扰。
　　从机械和环境角度来看，MLF1608DR82JTD25采用了全磁屏蔽或半屏蔽的结构设计，有效抑制了电磁干扰（EMI），减少了对邻近元器件的影响，并且其磁场分布更加集中，提高了能量转换效率。器件的外部封装提供了良好的防潮、防尘和抗机械应力保护，使其能够在恶劣的工业环境或户外设备中可靠工作。其-55°C至+125°C的宽工作温度范围满足了汽车电子和工业控制等严苛应用的要求。最后，该器件符合RoHS指令，采用无铅工艺制造，支持回流焊，易于实现自动化大批量生产。

MLF1608DR82JTD25因其优异的高频特性和小尺寸，被广泛应用于各类现代电子设备中。在移动通信领域，它是智能手机、平板电脑和可穿戴设备中射频前端模块的关键元件，常用于功率放大器（PA）的输出匹配网络、天线调谐电路以及双工器和滤波器中，以确保信号的高效发射和接收。在无线连接技术方面，该电感器适用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee和NFC等无线模块的LC振荡电路和滤波电路，帮助构建稳定可靠的短距离通信链路。
　　在电源管理应用中，它作为降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）DC-DC转换器中的储能电感。虽然0.82 μH的电感值相对较小，但其高达550 mA的饱和电流使其非常适合用于负载电流适中、工作频率较高的小型电源系统，例如为处理器内核、内存或传感器供电的点对点电源（Point-of-Load, POL）。其低直流电阻有助于提高电源转换效率，延长电池续航时间。
　　此外，该器件也常见于消费类电子产品，如数码相机、MP3播放器和机的手持控制器，用于电源去耦、噪声滤波和信号调理。在计算机及其外设中，可用于主板上的局部电源滤波或接口电路的EMI抑制。由于其可靠的性能，该电感器同样适用于部分工业控制板卡、医疗监测设备和汽车信息娱乐系统，在这些应用中，稳定性和小型化是关键的设计考量因素。

LQM18DNR82MJ00
　　PLT1608T-R82XGLD
　　DLW16SHR82JH2L