产品类型：功率电感器
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电感值：6.8 μH
　　容差：±20%
　　额定电流（Isat）：36 A
　　额定电流（Irms）：31 A
　　直流电阻（DCR）：5.9 mΩ（最大）
　　自谐振频率（SRF）：典型值约25 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　尺寸：12.5 mm × 12.5 mm × 5.5 mm
　　磁芯材料：金属合金粉末
　　端子材料：铜合金，镀锡
　　符合标准：RoHS、无卤素（Halogen-free）

CLF12555T-6R8N-H作为TDK CLF系列中的高性能大电流电感，具备多项关键技术优势，使其在现代电源系统中表现出色。首先，其采用先进的金属合金粉末磁芯技术，这种材料不仅具有高磁导率和高饱和磁通密度，还能有效抑制磁芯在高电流下的饱和现象，从而保证电感值在负载变化时保持相对稳定。这对于DC-DC降压或升压转换器尤为重要，因为电感的稳定性直接影响输出电压的纹波和动态响应性能。该磁芯材料还具备极低的涡流损耗和磁滞损耗，使得整个电感在高频开关条件下仍能维持较高的能量转换效率，减少发热问题。
　　其次，该器件的直流电阻（DCR）仅为5.9mΩ，这在同级别电感中属于非常低的水平。低DCR意味着更小的I2R功率损耗，特别适合用于高电流输出的电源电路，例如服务器主板上的CPU供电模块或多相VRM设计。即使在持续通过30A以上电流的情况下，其温升也能控制在合理范围内，避免因过热导致的性能下降或可靠性风险。此外，该电感支持高达36A的饱和电流（Isat），即在电感值下降30%时所能承受的最大直流电流，表明其在瞬态大电流冲击下依然具备较强的抗饱和能力。
　　再者，CLF12555T-6R8N-H具备优良的电磁兼容性（EMC）表现。其封闭式磁路结构将大部分磁力线限制在元件内部，显著降低外部磁场泄漏，减少对邻近敏感电路的干扰。这一特性对于高密度布局的PCB设计至关重要，有助于简化EMI滤波电路的设计并提高系统的整体抗干扰能力。同时，该电感器经过严格的老化测试和环境适应性验证，可在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业控制、通信基站、车载信息娱乐系统等多种严苛应用场景。
　　最后，该产品采用全自动化生产流程，确保批次间的一致性和可靠性。其端子经过特殊处理，具备良好的可焊性和耐腐蚀性，适用于回流焊工艺，能够与SMT生产线无缝对接，提升制造效率。整体而言，CLF12555T-6R8N-H是一款集高电流承载能力、低损耗、高稳定性和良好EMI特性于一体的先进功率电感器，是高端电源设计的理想选择。

CLF12555T-6R8N-H主要用于各类需要大电流、高效率电源转换的电子系统中。典型应用包括服务器和工作站主板上的多相电压调节模块（VRM），为高性能CPU和GPU提供稳定的低压大电流供电。在这些应用中，该电感器需配合MOSFET和PWM控制器组成同步整流拓扑，实现高效的DC-DC转换。其低直流电阻和高饱和电流特性确保在高负载下仍能维持较小的电压波动和温升，保障处理器的稳定运行。
　　此外，该器件也广泛应用于通信设备的电源单元，如基站功放模块、网络交换机和路由器的内部DC-DC转换器。在这些场景中，电源系统通常工作在较高频率（数百kHz至数MHz），对电感的高频特性和热管理能力有较高要求。CLF12555T-6R8N-H凭借其优良的磁芯材料和结构设计，能够在高频下保持较高的Q值和较低的交流损耗，从而提升整体电源效率。
　　在工业自动化领域，该电感可用于PLC控制器、伺服驱动器和变频器的辅助电源或主功率回路中，支持宽温范围和长时间连续运行。同时，在新能源汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中，该型号也有潜在应用价值，尤其是在非隔离型升降压电路中作为储能元件使用。其坚固的机械结构和抗振动能力也使其适应车载环境的严苛条件。
　　消费类电子产品中，高端笔记本电脑、主机和大功率LED照明电源也可能采用此类大电流电感，以满足日益增长的功率密度需求。总之，凡是需要高效、可靠、大电流电感解决方案的场合，CLF12555T-6R8N-H都是一个值得考虑的关键元器件。

CLF12555T-6R8M-H