电容: 68nF
　　容差: ±5%
　　额定电压: 630V DC
　　电介质类型: C0G (NP0)
　　温度特性: 0±30ppm/°C
　　工作温度范围: -55°C ~ +125°C
　　封装尺寸: 5750 (2220)
　　长度: 2.20mm
　　宽度: 1.00mm
　　厚度: 约1.25mm
　　端接类型: 银钯内电极，可焊性良好
　　绝缘电阻: ≥10000MΩ 或 RC ≥ 500S
　　耐压: ≥1.5倍额定电压（短时）
　　ESR: 极低
　　寿命稳定性: 每10年变化小于±0.5%

C5750C0G2J683J采用村田独有的超精细陶瓷叠层制造工艺，确保每一层介质与电极之间高度均匀一致，从而实现卓越的电气性能和长期可靠性。
　　其核心优势在于使用了C0G（也称NP0）类温度补偿型陶瓷材料，这种材料在整个工作温度范围内电容值的变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等高介电常数材料，能够有效避免因环境温度波动引起的频率漂移或增益误差问题，特别适用于高精度振荡器、相位锁定环（PLL）、射频匹配网络和ADC/DAC参考电路等关键应用场景。
　　此外，该器件具有极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），意味着在高频下能量损失极小，有助于提升系统效率并减少发热；同时，它不表现出明显的直流偏压效应，即使施加接近额定电压的直流偏置，电容值仍保持恒定，这在高压偏置下的耦合或旁路应用中尤为重要。
　　结构上，该MLCC采用多层共烧技术，内部由数百层交替堆叠的镍内电极和BaTiO3基陶瓷构成，外层经过金属化处理以增强焊接可靠性和抗机械应力能力，能有效抵抗热冲击和板弯引起的裂纹。
　　产品符合RoHS指令和REACH法规要求，并通过AEC-Q200等可靠性认证（视具体批次而定），适用于汽车电子、航空航天及工业自动化等严苛环境下的长期运行需求。

该电容器常用于需要高电压耐受能力和高稳定性电容值的高性能模拟和射频电路中。
　　典型应用包括：开关电源中的高压滤波与去耦、DC-DC转换器中的缓冲电路（snubber circuit）、功率放大器的射频耦合与匹配网络、医用成像设备中的脉冲整形电路、工业传感器信号调理模块、精密测量仪器中的参考时钟电路、LED驱动电源中的噪声抑制环节以及电动汽车车载充电机（OBC）中的EMI滤波部分。
　　由于其630V的高耐压特性，该器件可在400V~600V母线电压系统中安全使用，尤其适合作为跨接在交流线路间的安规Y电容替代方案（需确认认证状态）或用于PFC（功率因数校正）电路中的辅助滤波。
　　在通信基础设施中，如基站射频单元、光模块前端电路，C5750C0G2J683J可用于构建带通滤波器或陷波器，利用其稳定的Q值和低失真特性保证信号传输质量。
　　此外，在高温环境下工作的井下探测设备或户外监控系统中，其宽温特性和长期稳定性也使其成为首选元件之一。

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