时间：2025/12/30 13:10:17
阅读：113
BSZ16DN10NS3G 是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率电源管理和功率转换应用。BSZ16DN10NS3G 的封装形式为PG-TDSON-8，适用于紧凑型设计，并具备良好的散热能力。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：16A
漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PG-TDSON-8
BSZ16DN10NS3G MOSFET具有多项关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
此外，BSZ16DN10NS3G 采用了先进的封装技术，提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的电路设计，并且具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用。
BSZ16DN10NS3G MOSFET广泛应用于多个领域，包括汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。在汽车电子系统中，该器件可用于电池管理系统、电动助力转向系统和车载充电器等关键部件。在工业领域，BSZ16DN10NS3G 可用于高效电源供应器、电机控制和自动化设备中的功率开关。其高效率和高可靠性也使其成为新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中的理想选择。
BSZ16DN10NS3G的替代型号包括IRLR8256、FDMS8878、IPB16N10N3 G和STL16N10FH5CS。
