3D芯片堆叠技术----越看压力越大
3D芯片堆叠是一种通过垂直堆叠多层芯片并将其互连，以克服传统2D集成电路的局限性。和最近华为提出的韬（τ）定律有几分相似的。都是通过多层堆叠，只不过一个是在封装阶段，一个是在晶圆前道阶段。? ? 今天
2026慕展倒计时：一文看懂清能德创将带来哪些行业惊喜？
2026年3月25-27日，慕尼黑上海电子生产设备展将在上海新国际博览中心盛大开启。展会展示内容覆盖整个电子制造产业链的产品和技术，包括表面贴装技术、电子材料、自动化、测试测量、机器人等前沿领域。清能
专门针对风机叶片覆冰所设计的结冰传感器-MDC-ICE
结冰传感器是一种用于检测物体表面结冰厚度的电子设备，主要应用于航空、电力设施及建筑安全监测等领域。该设备通过将结冰信号转换为电学信号进行实时监测，涵盖微波、电容、超声波、红外光学等多种检测技术，可部署
采用高精度数字传感芯片结合嵌入式处理与计算的电导率温度传感器-ECT
电导率温度传感器通常指集成电导率与温度测量功能的复合传感器，其工作原理基于溶液的离子导电特性及温度对电导率的影响。? ?电导率测量原理：?溶液的电导率反映其导电能力，与离子浓度、种类及温度相关。传感器
自动驾驶SoC芯片到底有何优势？
近年来，随着智能网联汽车技术的快速发展，车载计算芯片已成为智能驾驶系统的中枢。传统的MCU（单片机）芯片在处理速度和算力方面已难以满足自动驾驶对于异构数据高吞吐与低延迟的需求。于是，SoC（Syste
技术解析｜英伟达推出新一代GPU Rubin CPX
芝能智芯出品 英伟达推新产品的速度，是很快的，特别是现在需要不断证明自己领先的位置。 英伟达Rubin CPX 是 GPU 设计新的思路，采用了解耦推理的方式，把长上下文处理和生成任务拆分开来，还搭配
PACK产品开发与设计(9)：动力电池系统产品参数匹配性分析
本合集旨在深入剖析PACK设计相关技术，从基础理论到典型案例，提供干货满满、实用的独家电池包设计秘籍。???? 无论你是行业新手，还是资深从业者，这个合集都继续您提供满满的干货，感谢关注~ 动力电池系
嵌入式内存有了新选择
随着数字化的发展，嵌入式系统已成为支撑智能设备运转的核心。从可穿戴设备的实时健康监测到自动驾驶汽车的环境感知，从工业机器人的精密控制到 5G 基站的高速数据处理，这些场景对内存的性能、功耗和成本提出了
面向人工智能的3D AI芯片：如何进行封装和散热？
芝能智芯出品 人工智能计算需求不断攀升，传统半导体封装和散热方式面临极限。 ECTC 2025 展示了三维器件堆栈所依赖的新一代技术路径，包括直接液体冷却、亚微米级混合键合、玻璃载体RDL、背面供电网
线控技术是自动驾驶落地的必要条件吗？
随着汽车电气化发展，线控技术被提了出来。线控技术，英文通常称作“X-by-Wire”，字面意思是“通过线缆进行控制”。如果把传统汽车比作一个拥有复杂机械连接的机器人，那线控技术就像给这个机器人换上了神
AEC-Q解读：车规级芯片的“入场券”与技术门槛
芝能智芯出品 “车规级”这一名词早已广泛流传，但其内涵却远不止于一个标签，对于芯片领域来说，AEC-Q系列标准可以说是电子元器件进入汽车行业的必要门槛。 在日益复杂的汽车电
炎热气候如何影响汽车芯片的老化？
芝能智芯出品 全球气温的上升和极端气候的频繁出现，汽车芯片在高温环境下的老化问题正成为行业关注的焦点。特别是在电动车广泛采用的背景下，芯片老化加速对车辆的安全性、可靠性和使用寿命构成了严峻挑战。
LD芯片的工艺制作流程
脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程： 这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
SEMulator3D虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战作者：半导体工艺与整合 （SPI） 资深工程师 Assawer Soussou 博士
线边缘粗糙度（LER）如何影响先进节点上半导体的性能
与泛林一同探索先进节点上线边缘粗糙度控制的重要性作者：Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合团队成员Yu De Chen介绍由后段制程（BEOL）金属线寄生电阻电容（RC）造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素［1］
雷柏智能装备：乘智能制造东风，进军智能仓储物流
辞旧迎新，全新的2022年如约而至。时序更替，孕育出全新愿景。雷柏智能装备将在新的一年继续扎根智能仓储物流领域，怀着为国内仓储物流智能化发展添砖加瓦的愿景发展壮大，竭力开启虎年新征程！过去一年，是雷柏
ASML新一代光刻机：可造3nm芯片，造价比EUV贵一倍！
近日，比利时微电子研究中心发布蓝图表示，2025年集成电路晶体管将进入到埃米尺寸（angstrom，1埃＝0．1纳米），对应的A14（14＝1．4纳米），2027年为A10（10＝1nm）、2029年为A7（7＝0．7纳米）
苹果3nm芯片或将2023年问世
近日，The Information消息称，苹果计划在未来几年内推出性能更强的第二代和第三代Apple Silicon芯片。其中，2022年推出的第二代Apple Silicon芯片将会采用改进版的5
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